规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 375 W |
| Switching Energy | 300µJ (on), 70µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 128 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/120ns |
| Test Condition | 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 76 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
安森美 单 IGBT 产品 FGH75T65SQDT_F155产品描述
FGH75T65SQDT_F155 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。650V FS4 TRENCH IGBT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 150 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A。
FGH75T65SQDT_F155 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（375 W）、Switching Energy（300µJ (on), 70µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（128 nC）、Td (on/off) @ 25°C（23ns/120ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
FGH75T65SQDT_F155 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 安森美 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 FGH75T65SQDT_F155 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是安森美代理商，专业供应FGH75T65SQDT_F155等单 IGBT 产品。我们提供FGH75T65SQDT_F155现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取FGH75T65SQDT_F155的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
