规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 34 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Power - Max | 125 W |
| Switching Energy | 55µJ (on), 150µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 60 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/100ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
安森美 单 IGBT 产品 HGTP7N60A4-F102产品描述
HGTP7N60A4-F102 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 34A TO220-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 34 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A、Power - Max: 125 W。
HGTP7N60A4-F102 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（55µJ (on), 150µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（60 nC）、Td (on/off) @ 25°C（11ns/100ns）、Test Condition（390V, 7A, 25Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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