AIHD06N60RFATMA1 英飞凌科技单 IGBT
英飞凌科技 单 IGBT 产品 AIHD06N60RFATMA1
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Power - Max | 100 W |
| Switching Energy | 90µJ (on), 90µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 48 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
英飞凌科技 单 IGBT 产品 AIHD06N60RFATMA1产品描述
AIHD06N60RFATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IC DISCRETE 600V TO252-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 12 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A。
AIHD06N60RFATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（100 W）、Switching Energy（90µJ (on), 90µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（48 nC）、Td (on/off) @ 25°C（8ns/105ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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