STGD3NC120H-1 意法半导体单 IGBT
意法半导体 单 IGBT 产品 STGD3NC120H-1
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如需获取STGD3NC120H-1的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Power - Max | 105 W |
| Switching Energy | 236µJ (on), 290µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 24 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/118ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
意法半导体 单 IGBT 产品 STGD3NC120H-1产品描述
STGD3NC120H-1 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 16A IPAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 16 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A、Power - Max: 105 W。
STGD3NC120H-1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（236µJ (on), 290µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（24 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/118ns）、Test Condition（800V, 3A, 10Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
STGD3NC120H-1 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 STGD3NC120H-1 的最新价格和交期信息。
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