规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.67V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 231 W |
| Switching Energy | 989µJ (on), 310µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 306 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/271ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 89 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
安森美 单 IGBT 产品 FGA40T65UQDF产品描述
FGA40T65UQDF 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT NPT 650V 80A TO3PN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A。
FGA40T65UQDF 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（231 W）、Switching Energy（989µJ (on), 310µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（306 nC）、Td (on/off) @ 25°C（32ns/271ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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