规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 395 W |
| Switching Energy | 880µJ (on), 520µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 166 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 52ns/412ns |
| Test Condition | 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 59 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
IKZ75N65NH5XKSA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IKZ75N65NH5XKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 90 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A。
IKZ75N65NH5XKSA1 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（395 W）、Switching Energy（880µJ (on), 520µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（166 nC）、Td (on/off) @ 25°C（52ns/412ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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