规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 260 W |
| Switching Energy | 350µJ (on), 400µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 105 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
STGB30H60DF 意法半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
STGB30H60DF 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 60A 260W D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A。
STGB30H60DF 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（260 W）、Switching Energy（350µJ (on), 400µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（105 nC）、Td (on/off) @ 25°C（50ns/160ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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