IXGX82N120B3 力特单 IGBT
力特 IXGX82N120B3 单 IGBT
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 230 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 500 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A |
| Power - Max | 1250 W |
| Switching Energy | 5mJ (on), 3.3mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 350 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/210ns |
| Test Condition | 600V, 80A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
IXGX82N120B3 力特单 IGBT - 规格参数与选型指南
IXGX82N120B3 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 230 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A。
IXGX82N120B3 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（1250 W）、Switching Energy（5mJ (on), 3.3mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（350 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/210ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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