规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 14A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1125 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Package / Case | TO-247-3 |
LSIC1MO120E0120 力特单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
LSIC1MO120E0120 是由 力特 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
LSIC1MO120E0120 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（150mOhm @ 14A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 7mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（80 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+22V, -6V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1125 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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