规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137mOhm @ 7.6A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 574 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 134W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
SCT3105KRC14 罗姆半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
SCT3105KRC14 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT3105KRC14 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（137mOhm @ 7.6A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 3.81mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（51 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（574 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
SCT3105KRC14 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供SCT3105KRC14价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 SCT3105KRC14 的最新价格和交期信息。
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