规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 225mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
BSP225,115 Nexperia单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BSP225,115 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
BSP225,115 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（15Ohm @ 200mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（90 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（1.5W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
BSP225,115 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Nexperia 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供BSP225,115价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 BSP225,115 的最新价格和交期信息。
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