规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TUMT3 |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
RUF025N02TL 罗姆半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
RUF025N02TL 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
RUF025N02TL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（54mOhm @ 2.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（370 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
RUF025N02TL 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供RUF025N02TL价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 RUF025N02TL 的最新价格和交期信息。
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