规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Package / Case | 3-SMD, SOT-23-3 Variant |
AOSS21115C 万国半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
AOSS21115C 是由 万国半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
AOSS21115C 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（40mOhm @ 4.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（950mV @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（930 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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