规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 79.3 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 330mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
BSH103BKR Nexperia单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BSH103BKR 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
BSH103BKR 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（270mOhm @ 1A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.25V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.2 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（79.3 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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