STGB7NB40LZT4 意法半导体单 IGBT
意法半导体 STGB7NB40LZT4 单 IGBT
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 5V, 14A |
| Power - Max | 100 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 900ns/4.4µs |
| Test Condition | 300V, 46Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
STGB7NB40LZT4 意法半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
STGB7NB40LZT4 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 430V 14A 100W D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A、Power - Max: 100 W、Input Type: Standard。
STGB7NB40LZT4 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge（22 nC）、Td (on/off) @ 25°C（900ns/4.4µs）、Test Condition（300V, 46Ohm, 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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