规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 12A |
| Power - Max | 30 W |
| Switching Energy | 152µJ (on), 258µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 54 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/96ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
STGF12NB60KD 意法半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
STGF12NB60KD 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 14A 30W TO220FP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A、Power - Max: 30 W。
STGF12NB60KD 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（152µJ (on), 258µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（54 nC）、Td (on/off) @ 25°C（25ns/96ns）、Test Condition（480V, 12A, 10Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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