STGB25N36LZAG 意法半导体单 IGBT
意法半导体 STGB25N36LZAG 单 IGBT
STGB25N36LZAG是意法半导体旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供STGB25N36LZAG现货库存与价格报价查询。我们可为您提供STGB25N36LZAG datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | 25.7 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1µs/7.4µs |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
STGB25N36LZAG 意法半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
STGB25N36LZAG 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。DISCRETE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V、Current - Collector (Ic) (Max): 25 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A、Power - Max: 150 W。
STGB25N36LZAG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Type（Logic）、Gate Charge（25.7 nC）、Td (on/off) @ 25°C（1.1µs/7.4µs）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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