SGP02N120XKSA1106 英飞凌科技单 IGBT
英飞凌科技 SGP02N120XKSA1106 单 IGBT
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
| Power - Max | 62 W |
| Switching Energy | 160µJ (on), 60µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 11 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 2A, 91Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
SGP02N120XKSA1106 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
SGP02N120XKSA1106 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 6.2A, 1200V, N CHANNEL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A。
SGP02N120XKSA1106 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（62 W）、Switching Energy（160µJ (on), 60µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（11 nC）、Td (on/off) @ 25°C（23ns/260ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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