规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 70 W |
| Switching Energy | 70µJ (on), 30µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 48Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
IKP08N65H5XKSA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IKP08N65H5XKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 650V 18A TO220-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 18 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A、Power - Max: 70 W。
IKP08N65H5XKSA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（70µJ (on), 30µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（22 nC）、Td (on/off) @ 25°C（11ns/115ns）、Test Condition（400V, 4A, 48Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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