规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 555 W |
| Switching Energy | 3mJ (on), 3.1mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 104 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/199ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247N |
RGS80TSX2GC11 罗姆半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
RGS80TSX2GC11 是由 罗姆半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A。
RGS80TSX2GC11 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（555 W）、Switching Energy（3mJ (on), 3.1mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（104 nC）、Td (on/off) @ 25°C（49ns/199ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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