规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 70 W |
| Switching Energy | 1.37mJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 53 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/450ns |
| Test Condition | 600V, 8A, 81Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
IKW08T120FKSA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IKW08T120FKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 16A TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: NPT, Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 16 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A。
IKW08T120FKSA1 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（70 W）、Switching Energy（1.37mJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（53 nC）、Td (on/off) @ 25°C（40ns/450ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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