规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 260 W |
| Switching Energy | 383µJ (on), 293µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 149 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
STGW30H60DFB 意法半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
STGW30H60DFB 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 60A 260W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A。
STGW30H60DFB 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（260 W）、Switching Energy（383µJ (on), 293µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（149 nC）、Td (on/off) @ 25°C（37ns/146ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
STGW30H60DFB 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供STGW30H60DFB价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 STGW30H60DFB 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是意法半导体代理商，专业供应STGW30H60DFB等单 IGBT 产品。如您需要STGW30H60DFB的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供STGW30H60DFB现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
