规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 65 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | LPDS |
RGT8NS65DGTL 罗姆半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
RGT8NS65DGTL 是由 罗姆半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A。
RGT8NS65DGTL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（65 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（13.5 nC）、Td (on/off) @ 25°C（17ns/69ns）、Test Condition（400V, 4A, 50Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
RGT8NS65DGTL 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供RGT8NS65DGTL价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 RGT8NS65DGTL 的最新价格和交期信息。
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