| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 5A |
| Power - Max | 54.4 W |
| Switching Energy | 140µJ (on), 40µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 9.4 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/82ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 60Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 98 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPAK) |
关于 AOD5B60D
AOD5B60D 是由 万国半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 10A 54.4W TO252。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 23 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A、Power - Max: 54.4 W。
AOD5B60D 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy(140µJ (on), 40µJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(9.4 nC)、Td (on/off) @ 25°C(12ns/82ns)、Test Condition(400V, 5A, 60Ohm, 15V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体:**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.):赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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万国半导体 单 IGBT 产品 AOD5B60D
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