IKQ50N120CH3XKSA1 英飞凌科技单 IGBT
英飞凌科技 IKQ50N120CH3XKSA1 单 IGBT
IKQ50N120CH3XKSA1是英飞凌科技旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供IKQ50N120CH3XKSA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供IKQ50N120CH3XKSA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 652 W |
| Switching Energy | 3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 235 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/297ns |
| Test Condition | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-46 |
IKQ50N120CH3XKSA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IKQ50N120CH3XKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 100A TO247-3-46。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A、Power - Max: 652 W。
IKQ50N120CH3XKSA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（3mJ (on), 1.9mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（235 nC）、Td (on/off) @ 25°C（34ns/297ns）、Test Condition（600V, 50A, 10Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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