| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 45 W |
| Switching Energy | 580µJ (on), 280µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 46 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/123ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 292 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
关于 AOTF20B65M2
AOTF20B65M2 是由 万国半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 650V 20A TO220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A、Power - Max: 45 W。
AOTF20B65M2 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（580µJ (on), 280µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（46 nC）、Td (on/off) @ 25°C（26ns/123ns）、Test Condition（400V, 20A, 15Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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AOTF20B65M2 是由 万国半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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万国半导体 单 IGBT 产品 AOTF20B65M2
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