规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Power - Max | 62.5 W |
| Switching Energy | 140µJ (on), 150µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-21 |
英飞凌科技 单 IGBT 产品 IKW03N120H产品描述
IKW03N120H 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A、Power - Max: 62.5 W。
IKW03N120H 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（140µJ (on), 150µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（22 nC）、Td (on/off) @ 25°C（9.2ns/281ns）、Test Condition（800V, 3A, 82Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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