规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 15A |
| Power - Max | 105 W |
| Switching Energy | 250µJ (on), 140µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 38 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/117ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
英飞凌科技 单 IGBT 产品 IGB15N65S5ATMA1产品描述
IGB15N65S5ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT PRODUCTS。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 35 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A。
IGB15N65S5ATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（105 W）、Switching Energy（250µJ (on), 140µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（38 nC）、Td (on/off) @ 25°C（12ns/117ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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