规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 155 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 536 W |
| Switching Energy | 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 485 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 47ns/385ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
微芯科技 单 IGBT 产品 APT75GN60BDQ2G产品描述
APT75GN60BDQ2G 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 155 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A。
APT75GN60BDQ2G 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（536 W）、Switching Energy（2.5mJ (on), 2.14mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（485 nC）、Td (on/off) @ 25°C（47ns/385ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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