规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 94 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Power - Max | 379 W |
| Switching Energy | -, 2.315mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 220 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/300ns |
| Test Condition | 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Supplier Device Package | D3PAK |
微芯科技 单 IGBT 产品 APT35GN120SG产品描述
APT35GN120SG 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT FIELDSTOP SINGLE 1200V 35A。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT, Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 94 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A。
APT35GN120SG 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（379 W）、Switching Energy（-, 2.315mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（220 nC）、Td (on/off) @ 25°C（24ns/300ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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