规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 107 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 366 W |
| Switching Energy | 1.185mJ (on), 1.565mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 325 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/230ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
微芯科技 单 IGBT 产品 APT50GN60BDQ3G产品描述
APT50GN60BDQ3G 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 107 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A。
APT50GN60BDQ3G 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（366 W）、Switching Energy（1.185mJ (on), 1.565mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（325 nC）、Td (on/off) @ 25°C（20ns/230ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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