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APT50GT120B2RG

¥118.37
单 IGBT
微芯科技

IGBT 1200V 94A 625W TO247

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)94 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Power - Max625 W
Switching Energy2330µJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge340 nC
Td (on/off) @ 25°C24ns/230ns
Test Condition800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device Package-

关于 APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 94A 625W TO247。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 94 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A。

APT50GT120B2RG 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(625 W)、Switching Energy(2330µJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(340 nC)、Td (on/off) @ 25°C(24ns/230ns) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 微芯科技:微芯科技(Microchip Technology Inc.)是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商,以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案,赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒,自成立以来,微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品,赢得了业界的广泛赞誉。

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APT50GT120B2RG 是什么类型的电子元器件?

APT50GT120B2RG 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 APT50GT120B2RG 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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