| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 349 W |
| Switching Energy | 820µJ (on), 260µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 119 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/92ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
关于 FGA40N65SMD
FGA40N65SMD 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A。
FGA40N65SMD 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（349 W）、Switching Energy（820µJ (on), 260µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（119 nC）、Td (on/off) @ 25°C（12ns/92ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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