| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Power - Max | 600 W |
| Switching Energy | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 189 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/104ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
关于 FGA60N65SMD
FGA60N65SMD 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 120 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A。
FGA60N65SMD 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（600 W）、Switching Energy（1.54mJ (on), 450µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（189 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18ns/104ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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FGA60N65SMD 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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