规格参数
| Product Status | Active |
| Amplifier Type | Instrumentation |
| Number of Circuits | 1 |
| Output Type | - |
| Slew Rate | 17V/µs |
| Gain Bandwidth Product | - |
| -3db Bandwidth | 2 MHz |
| Current - Input Bias | 2 pA |
| Voltage - Input Offset | 100 µV |
| Current - Supply | 3.3mA |
| Current - Output / Channel | 30 mA |
| Voltage - Supply Span (Min) | 12 V |
| Voltage - Supply Span (Max) | 36 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Supplier Device Package | 16-SOIC |
美国国家半导体 仪器仪表、运算放大器、缓冲放大器 产品 INA111BU产品描述
INA111BU 是由 美国国家半导体 制造的 仪器仪表、运算放大器、缓冲放大器 类电子元器件。INA111 HIGH SPEED FET-INPUT INST。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Amplifier Type: Instrumentation、Number of Circuits: 1、Slew Rate: 17V/µs、-3db Bandwidth: 2 MHz、Current - Input Bias: 2 pA。
INA111BU 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Voltage - Input Offset（100 µV）、Current - Supply（3.3mA）、Current - Output / Channel（30 mA）、Voltage - Supply Span (Min)（12 V）、Voltage - Supply Span (Max)（36 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美国国家半导体：美国国家半导体（National Semiconductor），这家在半导体行业拥有悠久历史和卓越声誉的**元器件**企业，以其创新的技术和高质量的**电子元件**闻名于世。品牌创立于1959年，总部设在美国，历经数十载的沉淀与发展，已成为高性能模拟和混合信号**IC芯片**领域的领导者之一。国家半导体始终致力于为全球客户提供领先的**元器件**解决方案，其产品线广泛，涵盖了模拟信号处理、电源管理、数据转换、放大器、以及接口**IC芯片**等多个关键领域，为现代电子设备的核心功能提供强有力的支持。
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