规格参数
| Product Status | Active |
| Frequency | 130MHz ~ 1GHz |
| P1dB | 32dBm |
| Gain | 31dB |
| Noise Figure | - |
| RF Type | LTE, TDS-CDMA, W-CDMA |
| Voltage - Supply | 5V |
| Current - Supply | 240mA |
| Test Frequency | 1GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-VFQFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 12-QFN (3x3) |
MMZ09332BT1 恩智浦半导体射频放大器 - 规格参数与选型指南
MMZ09332BT1 是由 恩智浦半导体 制造的 射频放大器 类电子元器件。IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Frequency: 130MHz ~ 1GHz、P1dB: 32dBm、Gain: 31dB、RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA、Voltage - Supply: 5V。
MMZ09332BT1 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Supply（240mA）、Test Frequency（1GHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（12-VFQFN Exposed Pad）、Supplier Device Package（12-QFN (3x3)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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