MURF2060CT 桑德斯微电子（南京）有限公司二极管阵列
桑德斯微电子（南京）有限公司 二极管阵列 产品 MURF2060CT
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2 V @ 10 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Operating Temperature - Junction | -50°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
桑德斯微电子（南京）有限公司 二极管阵列 产品 MURF2060CT产品描述
MURF2060CT 是由 桑德斯微电子（南京）有限公司 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A。
MURF2060CT 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（50 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（5 µA @ 600 V）、Operating Temperature - Junction（-50°C ~ 150°C）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 桑德斯微电子（南京）有限公司：桑德斯微电子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家拥有深厚行业根基的电子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美国高可靠性（HI-REL）半导体公司的商业晶圆厂，这段经历赋予了SMC卓越的制造工艺和对产品质量的极致追求。作为一家专业的电子元件供应商，SMC专注于二极管及相关半导体元器件的设计、制造和销售，其产品凭借出色的性能和严格的质量控制，在全球市场赢得了广泛认可。
MURF2060CT 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 桑德斯微电子（南京）有限公司 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 MURF2060CT 的最新价格和交期信息。
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