DD1000S33HE3B60BOSA1 英飞凌科技二极管阵列
英飞凌科技 二极管阵列 产品 DD1000S33HE3B60BOSA1
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1000A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.85 V @ 1000 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1000 A @ 1800 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-IHVB130-3 |
英飞凌科技 二极管阵列 产品 DD1000S33HE3B60BOSA1产品描述
DD1000S33HE3B60BOSA1 是由 英飞凌科技 制造的 二极管阵列 类电子元器件。IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 2 Independent、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1000A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A。
DD1000S33HE3B60BOSA1 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1000 A @ 1800 V）、Operating Temperature - Junction（-40°C ~ 150°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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