SBR20M100CT 德利通二极管阵列
德利通 SBR20M100CT 二极管阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Super Barrier |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 20 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 12 µA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 200°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
SBR20M100CT 德利通二极管阵列 - 规格参数与选型指南
SBR20M100CT 是由 德利通 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY SCHOTTKY。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Super Barrier、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 20 A。
SBR20M100CT 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（12 µA @ 100 V）、Operating Temperature - Junction（-65°C ~ 200°C）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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