DD1200S33K2CB3NOSA1 英飞凌科技二极管阵列
英飞凌科技 DD1200S33K2CB3NOSA1 二极管阵列
DD1200S33K2CB3NOSA1是英飞凌科技旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供DD1200S33K2CB3NOSA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供DD1200S33K2CB3NOSA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1200A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.5 V @ 1200 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1700 A @ 1800 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | A-IHV130-3 |
DD1200S33K2CB3NOSA1 英飞凌科技二极管阵列 - 规格参数与选型指南
DD1200S33K2CB3NOSA1 是由 英飞凌科技 制造的 二极管阵列 类电子元器件。MODULE DIODE IHV130-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 2 Independent、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1200A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.5 V @ 1200 A。
DD1200S33K2CB3NOSA1 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1700 A @ 1800 V）、Operating Temperature - Junction（-40°C ~ 125°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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DD1200S33K2CB3NOSA1 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 英飞凌科技 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供DD1200S33K2CB3NOSA1价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 DD1200S33K2CB3NOSA1 的最新价格和交期信息。
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