规格参数
| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 2 Pair Common Cathode |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 70 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | UMD6 |
UMN11NTN 罗姆半导体二极管阵列 - 规格参数与选型指南
UMN11NTN 是由 罗姆半导体 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA。
UMN11NTN 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed）、Reverse Recovery Time (trr)（4 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 nA @ 70 V）、Operating Temperature - Junction（150°C (Max)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
UMN11NTN 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供UMN11NTN价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 UMN11NTN 的最新价格和交期信息。
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