SMBD7000E6327HTSA1 英飞凌科技二极管阵列
英飞凌科技 SMBD7000E6327HTSA1 二极管阵列
SMBD7000E6327HTSA1是英飞凌科技旗下的二极管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供SMBD7000E6327HTSA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供SMBD7000E6327HTSA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Last Time Buy |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
SMBD7000E6327HTSA1 英飞凌科技二极管阵列 - 规格参数与选型指南
SMBD7000E6327HTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、Diode Configuration: 1 Pair Series Connection、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA。
SMBD7000E6327HTSA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed）、Reverse Recovery Time (trr)（4 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（500 nA @ 100 V）、Operating Temperature - Junction（150°C (Max)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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