JANTXV1N5806 赛美特单二极管
赛美特 单二极管 产品 JANTXV1N5806
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规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 150 V |
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 5V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Axial |
| Supplier Device Package | Axial |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
赛美特 单二极管 产品 JANTXV1N5806产品描述
JANTXV1N5806 是由 赛美特 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V、Current - Average Rectified (Io): 3.3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
JANTXV1N5806 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（25 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1 µA @ 150 V）、Capacitance @ Vr, F（25pF @ 5V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（Axial） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 赛美特：**Semtech (赛美特)：赋能智能互联与可持续未来的高性能半导体解决方案**
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