BAS316/ZLF 恩智浦半导体单二极管
恩智浦半导体 BAS316/ZLF 单二极管
BAS316/ZLF是恩智浦半导体旗下的单二极管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BAS316/ZLF现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BAS316/ZLF datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Supplier Device Package | SOD-323 |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
BAS316/ZLF 恩智浦半导体单二极管 - 规格参数与选型指南
BAS316/ZLF 是由 恩智浦半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io): 215mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
BAS316/ZLF 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（4 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（500 nA @ 80 V）、Capacitance @ Vr, F（1.5pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-76, SOD-323） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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