CDBJCSC201200-G 康奇科技单二极管
康奇科技 CDBJCSC201200-G 单二极管
CDBJCSC201200-G是康奇科技旗下的单二极管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供CDBJCSC201200-G现货库存与价格报价查询。我们可为您提供CDBJCSC201200-G datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
CDBJCSC201200-G 康奇科技单二极管 - 规格参数与选型指南
CDBJCSC201200-G 是由 康奇科技 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 20A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
CDBJCSC201200-G 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 µA @ 1200 V）、Capacitance @ Vr, F（1500pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 康奇科技：康奇科技（Comchip Technology Corporation）是知名的表面贴装（SMD）分立半导体元器件设计与制造商，凭借其前沿的研发实力和独特的专利制造技术，在全球电子元件市场中占据重要地位。康奇科技专注于提供种类齐全的高品质二极管产品，包括桥式整流器、超快恢复整流二极管、开关二极管、齐纳二极管、肖特基二极管，以及TVS（瞬态电压抑制器）和ESD（静电放电）浪涌保护器，致力于为客户的各类应用提供理想的电子元器件解决方案。
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