规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Supplier Device Package | DFN8080 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
LSC06065Q8 德利通单二极管 - 规格参数与选型指南
LSC06065Q8 是由 德利通 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARB 650V 6A DFN8080。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 6A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
LSC06065Q8 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（200 µA @ 650 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（4-PowerTSFN）、Supplier Device Package（DFN8080） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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