MQ1N5553US 微芯科技单二极管
微芯科技 MQ1N5553US 单二极管
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 9 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
MQ1N5553US 微芯科技单二极管 - 规格参数与选型指南
MQ1N5553US 是由 微芯科技 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GP 800V 3A SQ-MELF B。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V、Current - Average Rectified (Io): 3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A、Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)。
MQ1N5553US 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（2 µs）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1 µA @ 800 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SQ-MELF, B）、Supplier Device Package（B, SQ-MELF） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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