规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930 mV @ 5 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
RF1001T2D 罗姆半导体二极管阵列 - 规格参数与选型指南
RF1001T2D 是由 罗姆半导体 制造的 二极管阵列 类电子元器件。DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A。
RF1001T2D 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（30 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（10 µA @ 200 V）、Operating Temperature - Junction（150°C (Max)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
RF1001T2D 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供RF1001T2D价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 RF1001T2D 的最新价格和交期信息。
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