规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Diode Type | PIN - 1 Pair Series Connection |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
| Current - Max | 100 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.3pF @ 20V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz |
| Power Dissipation (Max) | 260 mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SC-70 |
BAP70-04W,115 恩智浦半导体射频二极管 - 规格参数与选型指南
BAP70-04W,115 是由 恩智浦半导体 制造的 射频二极管 类电子元器件。RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection、Voltage - Peak Reverse (Max): 50V、Current - Max: 100 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 20V, 1MHz、Resistance @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz。
BAP70-04W,115 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power Dissipation (Max)（260 mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Package / Case（SC-70, SOT-323）、Supplier Device Package（SC-70） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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