规格参数
| Product Status | Active |
| Diode Type | PIN - 1 Pair Common Anode |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 150V |
| Current - Max | 100 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz |
| Power Dissipation (Max) | 250 mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
BAR6406E6327HTSA1 英飞凌科技射频二极管 - 规格参数与选型指南
BAR6406E6327HTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 射频二极管 类电子元器件。RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode、Voltage - Peak Reverse (Max): 150V、Current - Max: 100 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz、Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz。
BAR6406E6327HTSA1 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power Dissipation (Max)（250 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3）、Supplier Device Package（PG-SOT23） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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